Ученые в Корее создали «бумажную» флешку

Ученые из Корейского института передовых технологий разработали новую технологию создания гибкой флеш-памяти. В качестве подложки для такой памяти могут использоваться гибкие полимеры или бумага. Об этом пишет N+1 со ссылкой на Nature Communications.

Созданная исследователями память, как и обычная флеш-память, состоит из транзисторов, в которых помимо управляющего затвора есть плавающий затвор. Именно он и отвечает за хранение информации: при отсутствии заряда на нем транзистор проводит ток, а при наличии — нет.

В предложенной исследователями схеме сток и исток состоят из алюминия и кальция, канал из фуллеренов C60, а оба затвора (управляющий и плавающий) из алюминия. В качестве материалов диэлектриков между затворами и каналом исследователи выбрали два полимера, благодаря которым транзистору требуется относительно небольшое напряжение для записи (около десяти вольт), и, по расчетам, он может сохранять значение информации в течении долгого времени — около десяти лет.

Для создания такой структуры ученые предложили использовать химическое осаждение из газовой фазы. За счет этого они смогли создать такую флеш-память на разных подложках: полиэтилентерефталате и даже специальной бумаге, используемой для сублимационной печати. Исследователи провели механические испытания прототипов памяти, созданных на полимерной подложке, и выяснили, что она сохраняет способность хранить и изменять информацию при изгибе вокруг окружности радиусом 4,5 мм, что эквивалентно растяжению на 2,8%, а также после десяти тысяч изгибов, эквивалентных растяжению на 1,1%.

При полном или частичном воспроизведении материалов прямая гиперссылка на KNK.media обязательна! Запрещены перепечатка, копирование, воспроизведение или иное использование материалов, в которых содержится ссылка на информагентства.

 

Подписка

Подпишитесь на наши обновления и оставайтесь в курсе событий

Мы не спамим!

Технические работы. Извините за временные неудобства